中信证券:部分产品初现涨势 看好23H2存储板块复苏机遇
智通财经APP获悉,中信证券(600030)发布研究报告称,原厂单季度营收低谷已过,部分高端存储价格已现涨势,预计23H2供需关系持续改善,部分产品价格有望回暖。综合主要海外存储大厂给出的CY23H2指引,随海外大厂稼动控制,存储供需改善,行业库存持续去化,主流存储价格下半年有望持续回暖,看好产业链公司23H2业绩底部复苏;随AI服务器市场高速增长,有望驱动HBM出货量及占比快速提升,看好国内进行HBM前瞻布局的相关产业链公司。建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。
▍中信证券主要观点如下:
存储器价格情况:
(资料图片仅供参考)
DRAM方面:7月高端产品价格已现涨势,环比-8.33%~+10.10%,本轮高点21年6月至23年7月累计跌幅为69%~83%。
高端DRAM(DDR5)价格有所上涨,7月涨幅0%~10.10%,主流DRAM(DDR4)价格仍下跌,7月跌幅在1.02%~7.92%,较6月有所扩大(6月跌幅1.37%~3.81%),利基DRAM(DDR3)价格跌幅在3.96%~8.33%(6月跌幅0.98%~7.69%),目前价格处于周期底部。
虽然供应商减产不及需求走弱速度,但相较23Q1,部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势,根据TrendForce,23Q2 DRAM跌幅收缩至13%-18%,其中,PC及Server DRAM跌幅为15%-20%;Mobile DRAM跌幅为13%-18%。TrendForce预计,受DRAM厂商陆续减产影响,整体DRAM供给逐季减少,加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,23Q3跌幅将进一步收缩至0%-5%,同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。
NAND Flash方面:7月价格止跌回升,环比0.00%~+1.42%(512GB大容量首次环比上涨),本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47%~71%。
23H2旺季备货周期将至,尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修,市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1,采购量有机会逐季增加;由于多数供应商已开始减产,库存压力有望在Q3下降,三星等原厂报价态度强势,Q3合约价有较大机率触底反弹,并刺激买方采购意愿,加速供需平衡。TrendForce预计23Q3起NAND Flash Wafer均价环比涨幅0%-5%,Q4涨幅将进一步扩大至8%~13%。
存储模组方面:今年2月开始价格下跌幅度收窄,7月价格基本稳定,本轮高点22年3月至23年7月累计跌幅为45%~64%。
据CFM闪存市场,截至6月27日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)价格由约17美金降至不足14美金,降幅约19%,OEM SSD(512GB SATA)由约26.5美金降至19.5美金,降幅约26%。11月下旬以来降幅有所收窄,模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖,随下游需求复苏而获得销量弹性,同时上游晶圆成本处于底部,有利于模组环节盈利水平修复。
交期及价格预测:货期趋势整体缩短,存储器模块交期仍维持稳定,跌价已近尾声。
根据TrendForce,23Q2 NAND Flash价格跌幅为10~15%,预计23Q3价格跌幅收缩至3~8%,供需错配下仍压制NAND Flash价格止跌回稳;NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨,SSD、eMMC、UFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌,Q4 NAND整体均价有望止跌回升;
根据TrendForce,23Q2 DRAM价格跌幅收缩至13%~18%,受DRAM厂商陆续减产影响,整体DRAM供给逐季减少,加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,预计23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%。
厂商数据:
主流存储器价格承压,中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降,旺宏和力积电环比上升,华邦电和南亚科环比下降。旺宏7月营收同比-39.48%,环比+1.95%;华邦电7月营收同比-14.56%,环比-9.64%;南亚科7月营收同比-44.56%,环比-0.85%;力积电7月营收同比-49.06%,环比+0.10%。
供给侧与需求侧近况更新:
供给端:为应对下游需求持续疲软、行业供过于求,部分厂商调降投片量,同时下调2023年资本开支及产能提升预期。
据各公司业绩发布会,美光FY2023资本支出降至70亿美元,同比-40%以上,并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年;SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%,并决定对NAND进一步减产5-10%;西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降;三星平泽与西安厂扩大减产幅度;23H2大厂库存消耗速度将加快,促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面,SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量产并供货OPPO;
此外,SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品,计划2025H1量产。从历史周期看,资本开支增速与市场增速强相关性,随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率,预计23年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。
需求端:下游厂商“降成本、去库存”趋势持续,看好需求逐步复苏。
2022年需求疲软下行业库存持续攀升,各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上,22Q4末华硕、联想、浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转。但浪潮由于库存原材料增长、提前备货等原因,23Q1库存周转天数为179天,有所增加。
目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高。需求量来看,看好23H2至24年下游需求回暖趋势:1)服务器端,预计23Q3需求将有望实现环比增长,看好23H2 DDR5在服务器端需求提升,同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的6~8x和3x;2)PC端,预计23年PC出货同比下滑低两位数(low-double digit);3)手机及智能终端,预计23年智能手机出货同比下降中个位数(mid-single digit),年内前低后高,库存逐季改善;4)汽车端稳健增长,预计23Q3工业市场出现初步复苏迹象,行业库存及需求有望在23H2持续改善。
海外厂商业绩追踪:从海外大厂业绩看存储行业复苏。
海外存储大厂均已发布CY23Q2业绩:美光实现营收37.5亿美元(-57% YoY,+2% QoQ);三星电子DS板块下存储业务实现营收8.97万亿韩元(-57% YoY,+1% QoQ);SK海力士实现营收7.31万亿韩元(-47% YoY,+44% QoQ);西部数据Flash业务实现营收13.77亿美元(-43% YoY,+5% QoQ)。美光、三星电子(存储业务)、SK海力士、西部数据(Flash业务)Q2营收均实现环比增长,存储板块营收低谷已过。
风险因素:
下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。